2024年7月8日，東科半導(dǎo)體攜20余款展品亮相2024慕尼黑上海電子展，包括新品ALL IN ONE 全合封氮化鎵AHB/ACF AC-DC電源管理芯片、國(guó)內(nèi)出貨量第一的同步整流芯片系列等為代表的公司優(yōu)秀產(chǎn)品及各功率段的PD方案設(shè)計(jì)。豐富的展出內(nèi)容吸引了絡(luò)繹不絕的友商或?qū)I(yè)觀(guān)眾們前來(lái)交流和商談合作。

現(xiàn)場(chǎng)直擊

全合封氮化鎵 AHB/ACF 電源管理芯片系列 

  此次重磅展出了東科全新All-in-One全合封氮化鎵AC-DC電源管理芯片（不對(duì)稱(chēng)半橋系列/有源箝位反激系列）。作為市面唯一的All-in-One全合封不對(duì)稱(chēng)半橋解決方案DK87XXAD，有源箝位反激解決方案DK86XXAD。芯片采用三合一設(shè)計(jì)，單芯片集成AHB/ACF控制+半橋驅(qū)動(dòng)+半橋GAN器件，實(shí)現(xiàn)了優(yōu)異的總線(xiàn)控制功能，提供卓越的性能和效率。

  全合封氮化鎵 QR-LOCK 電源管理芯片系列

  在氮化鎵AC-DC電源管理芯片領(lǐng)域，東科還帶來(lái)了全合封QR-LOCK AC-DC 電源管理芯片DK0XXG/DK80XXAP系列。產(chǎn)品輸出功率覆蓋12-75W。支持250KHz開(kāi)關(guān)頻率，待機(jī)功耗低于50mW，內(nèi)置高低壓輸入功率補(bǔ)償電路。

  該產(chǎn)品極大的簡(jiǎn)化了反激式 AC-DC 轉(zhuǎn)換器的設(shè)計(jì)和制造，尤其是需要高轉(zhuǎn)化效率和高功率密度的產(chǎn)品，并具備完善的保護(hù)功能：輸出過(guò)壓保護(hù)（OVP），VCC 過(guò)欠壓保護(hù)，過(guò)溫保護(hù)（OTP），開(kāi)環(huán)保護(hù)，輸出過(guò)流保護(hù)（OCP）等。

  同步整流芯片系列

  東科同步整流芯片系列擁有七種封裝形式，超200個(gè)品種可供選擇和定制。滿(mǎn)足不同功率和應(yīng)用需求，支持PSR/SSR/ZVS反激拓?fù)浼軜?gòu)?？梢源蠓档蛡鹘y(tǒng)肖特基二極管的導(dǎo)通損耗，直接替代肖特基二極管，提高電源的轉(zhuǎn)換效率，并改善EMI。

      前言

  在電源設(shè)計(jì)中，不對(duì)稱(chēng)半橋AHB拓?fù)浼夹g(shù)適用于單電壓輸入的場(chǎng)景，而對(duì)于寬電壓輸入的應(yīng)用，則需要增加PFC級(jí)以實(shí)現(xiàn)更好的性能。該技術(shù)在寬電壓輸出方面表現(xiàn)優(yōu)越，特別適用于需要高度可調(diào)性的場(chǎng)合，相較于LLC技術(shù)更為適合PD等應(yīng)用場(chǎng)景。

  不對(duì)稱(chēng)半橋AHB拓?fù)浼夹g(shù)集成了LLC和反激的優(yōu)點(diǎn)，實(shí)現(xiàn)了初級(jí)側(cè)零電壓開(kāi)關(guān)（ZVS）和次級(jí)側(cè)零電流開(kāi)關(guān)（ZCS），提高了系統(tǒng)的效率。通過(guò)采用電感與電容雙儲(chǔ)能元件，可以有效減小變壓器體積，從而提高系統(tǒng)的整體緊湊性。

  另外，二次側(cè)同步整流技術(shù)使電壓應(yīng)力較小，有效降低了系統(tǒng)成本。整體外圍結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，易于調(diào)試，并且對(duì)電磁干擾（EMI）的壓力較小。

  東科半導(dǎo)體推出了一款市面唯一的All-in-One全合封不對(duì)稱(chēng)半橋解決方案DK8715AD，采用三合一設(shè)計(jì)，單芯片集成AHB控制+半橋驅(qū)動(dòng)+半橋GAN器件，實(shí)現(xiàn)了優(yōu)異的總線(xiàn)控制功能，提供卓越的性能和效率。由于其超高的集成度，相較于其余方案，其外圍元件大幅減少，調(diào)試難度低，有效降低了系統(tǒng)成本壓力，整體成本遠(yuǎn)低于競(jìng)品方案。

  DK8715AD支持最高800KHz開(kāi)關(guān)頻率，前段帶有升壓PFC的情況下推薦功率為150W（高功率密度小體積應(yīng)用場(chǎng)景），待機(jī)功耗小于50mW，具備自適應(yīng)死區(qū)和關(guān)斷算法，無(wú)需外圍調(diào)節(jié)，外圍極致精簡(jiǎn)，同時(shí)具備無(wú)鹵素特性，符合ROHs要求，并內(nèi)置高壓?jiǎn)?dòng)和X電容放電電路，可為系統(tǒng)提供更高的性能和可靠性。DK8715AD自適應(yīng)四種負(fù)載模式，有效提高各負(fù)載段效率，通過(guò)搭載DK8715AD，可使設(shè)備效率最高可達(dá)95.4%。

  DK8715AD采用DFN8*8的封裝形式，適用于高功率密度快速充電器、適配器、筆記本適配器、平板電腦適配器、電視電源、兩輪電動(dòng)車(chē)充電器、通信電源、LED電源等領(lǐng)域之中。

       方案總結(jié)

  不對(duì)稱(chēng)半橋AHB拓?fù)浼夹g(shù)整合了LLC和反激的優(yōu)點(diǎn)，實(shí)現(xiàn)了初級(jí)側(cè)零電壓開(kāi)關(guān)（ZVS）和次級(jí)側(cè)零電流開(kāi)關(guān)（ZCS），從而提高了系統(tǒng)的效率，有效減小變壓器體積，提高系統(tǒng)的整體集成度。另外，二次側(cè)同步整流技術(shù)降低了系統(tǒng)成本，外圍結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，易于調(diào)試，并對(duì)電磁干擾（EMI）的壓力較小。

  DK8715AD是一款基于不對(duì)稱(chēng)半橋架構(gòu)的全合封解決方案，集成了AHB控制、半橋驅(qū)動(dòng)和兩顆650V增強(qiáng)型GaN HEMT，具備高達(dá)800KHz的開(kāi)關(guān)頻率，待機(jī)功耗小于50mW，具備自適應(yīng)死區(qū)和關(guān)斷算法。DK8715AD可在較大負(fù)載范圍內(nèi)實(shí)現(xiàn)原邊功率管ZVS和副邊整流管ZCS，外圍設(shè)計(jì)精簡(jiǎn)，簡(jiǎn)化了AC-DC轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)，降低了系統(tǒng)成本壓力，適用于高功率密度快速充電器、適配器、電源等領(lǐng)域，同時(shí)具備全面的保護(hù)功能，確保產(chǎn)品穩(wěn)定性和可靠性。

  9月15日，東科半導(dǎo)體（安徽）股份有限公司與北京大學(xué)共同組建的第三代半導(dǎo)體聯(lián)合研發(fā)中心正式揭牌成立。由北京大學(xué)科學(xué)研究部謝冰部長(zhǎng)及馬鞍山市委書(shū)記袁方共同為北大-東科聯(lián)合研發(fā)中心揭牌。

圖左為袁方書(shū)記，右為謝冰部長(zhǎng)

 北大-東科第三代半導(dǎo)體聯(lián)合研發(fā)中心，（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“研發(fā)中心”）將瞄準(zhǔn)國(guó)家和產(chǎn)業(yè)發(fā)展全局的創(chuàng)新需求，以第三代半導(dǎo)體氮化鎵關(guān)鍵核心技術(shù)和重大應(yīng)用研發(fā)為核心使命，重點(diǎn)突破材料、器件、工藝技術(shù)瓶頸，增強(qiáng)東科半導(dǎo)體在第三代半導(dǎo)體技術(shù)上的創(chuàng)新能力和市場(chǎng)主導(dǎo)力。

 北京大學(xué)集成電路學(xué)科作為我國(guó)第一個(gè)半導(dǎo)體專(zhuān)業(yè)，在學(xué)科建設(shè)、師資隊(duì)伍等綜合實(shí)力均處于國(guó)內(nèi)一流領(lǐng)先水平。 而東科半導(dǎo)體作為國(guó)內(nèi)最先研發(fā)布局氮化鎵芯片研究的企業(yè)，國(guó)內(nèi)首創(chuàng)合封氮化鎵電源管理芯片，其產(chǎn)品性能指標(biāo)等同或部分超出國(guó)外同類(lèi)產(chǎn)品，并以高性能、高可靠性和低功耗等特性被市場(chǎng)廣泛認(rèn)可，實(shí)現(xiàn)國(guó)產(chǎn)替代。

  東科半導(dǎo)體在繼青島、無(wú)錫、深圳、馬鞍山研發(fā)中心后新成立的北京研發(fā)中心，將借助北京大學(xué)及其他首都高校的研發(fā)技術(shù)及人才優(yōu)勢(shì)，以高標(biāo)準(zhǔn)打造出一支學(xué)歷層次高、專(zhuān)業(yè)覆蓋面廣、技術(shù)力量雄厚、產(chǎn)學(xué)研聯(lián)系緊密的研發(fā)隊(duì)伍。

  隨著氮化鎵技術(shù)的不斷突破與完善，下游新的應(yīng)用市場(chǎng)規(guī)模將不斷爆發(fā)，同時(shí)氮化鎵作為第三代半導(dǎo)體，其優(yōu)異特性將成為提升下游產(chǎn)品性能、降本增效、可持續(xù)綠色發(fā)展的關(guān)鍵技術(shù)之一。

  未來(lái)，東科半導(dǎo)體的氮化鎵芯片將在繼續(xù)深耕快充等消費(fèi)電子細(xì)分領(lǐng)域市場(chǎng)的同時(shí)，進(jìn)一步拓展進(jìn)入通信、工業(yè)電源、光伏、新能源等眾多產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域，為推進(jìn)芯片國(guó)產(chǎn)化進(jìn)程不斷前行。

  2023年7月15日，以“凝心聚力，共創(chuàng)未來(lái)”為主題的東科半導(dǎo)體喬遷揭牌儀式暨答謝晚宴在安徽馬鞍山隆重舉辦。并邀請(qǐng)了核心客戶(hù)，代理商，核心供應(yīng)商兩百位來(lái)賓朋友、分子公司負(fù)責(zé)人出席本次儀式及晚宴，市經(jīng)開(kāi)區(qū)領(lǐng)導(dǎo)代表也應(yīng)邀出席了上午的揭牌儀式，共賀東科半導(dǎo)體喬遷之喜！

  此次投入使用的東科半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)園占地52畝，一期新建廠(chǎng)房及附屬2.9萬(wàn)平方米，主要從事氮化鎵超高頻AC/DC電源管理芯片、氮化鎵應(yīng)用模組封裝線(xiàn)的研發(fā)、生產(chǎn)和銷(xiāo)售。全部達(dá)產(chǎn)后，預(yù)計(jì)可實(shí)現(xiàn)芯片年產(chǎn)10億只。

  作為國(guó)內(nèi)為數(shù)不多的集研發(fā)設(shè)計(jì)、封測(cè)、銷(xiāo)售、服務(wù)于一體的集成電路國(guó)家級(jí)專(zhuān)精特新小巨人企業(yè)，研發(fā)創(chuàng)新是核心生命力，在不斷擴(kuò)大研發(fā)隊(duì)伍的同時(shí)，持續(xù)跟各大院校、科研院所開(kāi)展研發(fā)合作。引進(jìn)了新型研發(fā)機(jī)構(gòu)京皖智慧裝備研究院，整合了包括北大在內(nèi)的專(zhuān)業(yè)研發(fā)人才，為東科提供創(chuàng)新成果服務(wù)，為人才提供培育平臺(tái)，實(shí)現(xiàn)了大學(xué)與企業(yè)的創(chuàng)新發(fā)展的同頻共振。并在繼青島、無(wú)錫、深圳、馬鞍山研發(fā)中心之后，依靠北大的研發(fā)力量擬成立新的北京研發(fā)中心。

  經(jīng)過(guò)多年的努力，東科已擁有超百項(xiàng)專(zhuān)利，生產(chǎn)出眾多的自主創(chuàng)新產(chǎn)品，目前東科不但是國(guó)內(nèi)同步整流芯片市占率前三的頭部企業(yè)，同時(shí)還是國(guó)內(nèi)氮化鎵電源產(chǎn)品設(shè)計(jì)最早、品種最全、功率段覆蓋最廣的芯片設(shè)計(jì)企業(yè)，引領(lǐng)著氮化鎵電源芯片市場(chǎng)的發(fā)展。

    截止目前東科芯片已服務(wù)數(shù)千家客戶(hù)，國(guó)內(nèi)客戶(hù)遍布長(zhǎng)三角、珠三角、華中、華北等多個(gè)地區(qū)，國(guó)外客戶(hù)覆蓋歐盟、巴西、比利時(shí)、印度、韓國(guó)、越南等多個(gè)國(guó)家，產(chǎn)品線(xiàn)已覆蓋智能家電、移動(dòng)數(shù)碼、工控設(shè)備、消費(fèi)電子等眾多領(lǐng)域，下游眾多優(yōu)質(zhì)的行業(yè)頭部企業(yè)，已經(jīng)陸續(xù)成為東科的核心客戶(hù)。

    踔厲前行，篤行不怠，新起點(diǎn)，新征程，東科立志成為世界一流的電源管理服務(wù)商，為客戶(hù)創(chuàng)造價(jià)值，為芯片國(guó)產(chǎn)化進(jìn)程不懈努力。

  東科半導(dǎo)體（安徽）股份有限公司將于2023年7月11日~13日，參加慕尼黑上海電子展(electronica China)。
  屆時(shí)東科將展出最新的高集成度合封氮化鎵電源管理芯片，合封同步整流芯片和其他高性能電源管理類(lèi)產(chǎn)品。誠(chéng)邀新老朋友蒞臨指導(dǎo)！

  慕尼黑上海電子展(electronica China)將于2023年7月11-13日在國(guó)家會(huì)展中心（上海）舉辦。展會(huì)匯聚國(guó)內(nèi)外優(yōu)質(zhì)電子企業(yè)加入，打造從產(chǎn)品設(shè)計(jì)到應(yīng)用落地的橫跨產(chǎn)業(yè)上下游的專(zhuān)業(yè)展示平臺(tái)。

  展示領(lǐng)域緊跟行業(yè)重點(diǎn)，并根據(jù)行業(yè)實(shí)時(shí)熱點(diǎn)融入新的展示領(lǐng)域，涵蓋新能源汽車(chē)、智能汽車(chē)、綠色能源、智能工廠(chǎng)、物聯(lián)網(wǎng)+、智能可穿戴、工業(yè)互聯(lián)網(wǎng)、無(wú)線(xiàn)通信、數(shù)據(jù)中心、智能家居等技術(shù)話(huà)題。

  1月28日，安徽省“新春第一會(huì)”——全省發(fā)揚(yáng)自我革命精神 堅(jiān)持嚴(yán)的基調(diào) 持續(xù)深化“一改兩為”全面提升工作效能大會(huì)在合肥舉行。會(huì)上表?yè)P(yáng)通報(bào)了2022年度安徽省民營(yíng)企業(yè)稅收貢獻(xiàn)50強(qiáng)、“專(zhuān)精特新”企業(yè)50強(qiáng)等榮譽(yù)企業(yè)，東科半導(dǎo)體（安徽）股份有限公司榮獲安徽省“專(zhuān)精特新”企業(yè)50強(qiáng)。

作為國(guó)家級(jí)專(zhuān)精特新小巨人企業(yè)，東科此次被評(píng)為省“專(zhuān)精特新”企業(yè)50強(qiáng)是對(duì)公司在持續(xù)創(chuàng)新能力、專(zhuān)業(yè)化發(fā)展戰(zhàn)略、市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)等方面的認(rèn)可，也是對(duì)公司的品牌影響力、產(chǎn)品質(zhì)量等方面的肯定。作為國(guó)內(nèi)數(shù)不多的集研發(fā)、設(shè)計(jì)、生產(chǎn)、銷(xiāo)售為一體的集成電路科技創(chuàng)新型企業(yè)，公司始終堅(jiān)持創(chuàng)新是企業(yè)最高效率，與北京大學(xué)信息技術(shù)學(xué)院、上海工研院等國(guó)內(nèi)頂尖研發(fā)機(jī)構(gòu)達(dá)成聯(lián)合研發(fā)協(xié)議，共同推進(jìn)第三代半導(dǎo)體氮化鎵芯片的應(yīng)用研究，著重打造集設(shè)計(jì)、研發(fā)、封裝、測(cè)試為一體的完整的國(guó)內(nèi)本土生態(tài)鏈。未來(lái)公司將繼續(xù)加大研發(fā)投入，堅(jiān)持以研發(fā)創(chuàng)新為發(fā)展驅(qū)動(dòng)力，不斷實(shí)現(xiàn)技術(shù)突破，加快公司先進(jìn)技術(shù)的成果轉(zhuǎn)化速度，打造全面領(lǐng)先的產(chǎn)品布局，為芯片國(guó)產(chǎn)化以及安徽高質(zhì)量發(fā)展貢獻(xiàn)更大力量！

    前言

  在氮化鎵快充市場(chǎng)不斷拓展的過(guò)程中，電源技術(shù)水平也在不斷提升，起初的氮化鎵快充電源一般需要采用控制器 + 驅(qū)動(dòng) + 氮化鎵功率器件組合設(shè)計(jì)，不僅電路布局較為復(fù)雜，產(chǎn)品開(kāi)發(fā)難度相對(duì)較大，而且成本也比較高。

  為了實(shí)現(xiàn)更高的功率密度并降低外圍器件數(shù)量，目前已有許多電源芯片廠(chǎng)商在著手布局集成度更高的合封氮化鎵芯片產(chǎn)品線(xiàn)，用一顆芯片完成氮化鎵功率器件、PWM 控制、驅(qū)動(dòng)、保護(hù)等功能，既能夠提升整體方案的性能，同時(shí)也能減少 PCB 板的占用，縮小尺寸并減少物料成本。

  目前，合封氮化鎵芯片已在小功率快充產(chǎn)品中實(shí)現(xiàn)規(guī)?；逃谩６S著氮化鎵合封技術(shù)的不斷發(fā)展，已有多家芯片原廠(chǎng)推出了可用于 65W 功率段的合封氮化鎵芯片。

  東科半導(dǎo)體面向 65W 快充應(yīng)用，推出了 DK065G 合封氮化鎵芯片，內(nèi)部集成了 650V 260m Ω 氮化鎵開(kāi)關(guān)管，最高支持 250kHz 開(kāi)關(guān)頻率。芯片通過(guò)檢測(cè)功率管漏極和源極之間的電壓（VDS），當(dāng) VDS 達(dá)到其最低值時(shí)開(kāi)啟功率管，從而減小開(kāi)關(guān)損耗并改善電磁干擾（EMI）。

  東科 DK065G 采用 DFN8*8 封裝，待機(jī)功耗低于 50mW，采用谷底開(kāi)通以降低開(kāi)關(guān)損耗，內(nèi)置高低壓輸入功率補(bǔ)償電路，保證高低壓下最大輸出功率一致，可廣泛應(yīng)用于高功率快充充電器、筆記本平板等產(chǎn)品中。

  傳統(tǒng)的 65W 氮化鎵快充方案包括控制器 + 驅(qū)動(dòng)器 +GaN 功率器件等，電路設(shè)計(jì)復(fù)雜，成本較高。而若采用合封氮化鎵芯片，一顆芯片即可實(shí)現(xiàn)原有數(shù)顆芯片的功能，不僅使電源芯片外圍器件數(shù)量大幅降低，而且有效降低了快充方案在高頻下的寄生參數(shù)，電源工程師在應(yīng)用過(guò)程中能更加方便、快捷地完成調(diào)試，加速產(chǎn)品研發(fā)周期。                             

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